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CoolSemi SJ產(chǎn)品采用先進(jìn)的超結(jié)技術(shù)和優(yōu)化的設(shè)計(jì)結(jié)構(gòu)，極低特征導(dǎo)通電阻（Rdson*A）優(yōu)于Infineon CCoolSemi SJ產(chǎn)品采用先進(jìn)的超結(jié)技術(shù)和優(yōu)化的設(shè)計(jì)結(jié)構(gòu)，極低特征導(dǎo)通電阻（Rdson*A）優(yōu)于Infineon CCoolSemi SJ產(chǎn)品采用先進(jìn)的超結(jié)技術(shù)和優(yōu)化的設(shè)計(jì)結(jié)構(gòu)，極低特征導(dǎo)通電阻（Rdson*A）優(yōu)于Infineon CCoolSemi SJ產(chǎn)品采用先進(jìn)的超結(jié)技術(shù)和優(yōu)化的設(shè)計(jì)結(jié)構(gòu)，極低特征導(dǎo)通電阻（Rdson*A）優(yōu)于Infineon CCoolSemi SJ產(chǎn)品采用先進(jìn)的超結(jié)技術(shù)和優(yōu)化的設(shè)計(jì)結(jié)構(gòu)，極低特征導(dǎo)通電阻（Rdson*A）優(yōu)于Infineon CCoolSemi SJ產(chǎn)品采用先進(jìn)的超結(jié)技術(shù)和優(yōu)化的設(shè)計(jì)結(jié)構(gòu)，極低特征導(dǎo)通電阻（Rdson*A）優(yōu)于Infineon CCoolSemi SJ產(chǎn)品采用先進(jìn)的超結(jié)技術(shù)和優(yōu)化的設(shè)計(jì)結(jié)構(gòu)，極低特征導(dǎo)通電阻（Rdson*A）優(yōu)于Infineon CCoolSemi SJ產(chǎn)品采用先進(jìn)的超結(jié)技術(shù)和優(yōu)化的設(shè)計(jì)結(jié)構(gòu)，極低特征導(dǎo)通電阻（Rdson*A）優(yōu)于Infineon CCoolSemi 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SJ產(chǎn)品采用先進(jìn)的超結(jié)技術(shù)和優(yōu)化的設(shè)計(jì)結(jié)構(gòu)，極低特征導(dǎo)通電阻（Rdson*A）優(yōu)于Infineon CCoolSemi SJ產(chǎn)品采用先進(jìn)的超結(jié)技術(shù)和優(yōu)化的設(shè)計(jì)結(jié)構(gòu)，極低特征導(dǎo)通電阻（Rdson*A）優(yōu)于Infineon CCoolSemi SJ產(chǎn)品采用先進(jìn)的超結(jié)技術(shù)和優(yōu)化的設(shè)計(jì)結(jié)構(gòu)，極低特征導(dǎo)通電阻（Rdson*A）優(yōu)于Infineon CCoolSemi SJ產(chǎn)品采用先進(jìn)的超結(jié)技術(shù)和優(yōu)化的設(shè)計(jì)結(jié)構(gòu)，極低特征導(dǎo)通電阻（Rdson*A）優(yōu)于Infineon CCoolSemi SJ產(chǎn)品采用先進(jìn)的超結(jié)技術(shù)和優(yōu)化的設(shè)計(jì)結(jié)構(gòu)，極低特征導(dǎo)通電阻（Rdson*A）優(yōu)于Infineon CCoolSemi SJ產(chǎn)品采用先進(jìn)的超結(jié)技術(shù)和優(yōu)化的設(shè)計(jì)結(jié)構(gòu)，極低特征導(dǎo)通電阻（Rdson*A）優(yōu)于Infineon CCoolSemi SJ產(chǎn)品采用先進(jìn)的超結(jié)技術(shù)和優(yōu)化的設(shè)計(jì)結(jié)構(gòu)，極低特征導(dǎo)通電阻（Rdson*A）優(yōu)于Infineon CCoolSemi SJ產(chǎn)品采用先進(jìn)的超結(jié)技術(shù)和優(yōu)化的設(shè)計(jì)結(jié)構(gòu)，極低特征導(dǎo)通電阻（Rdson*A）優(yōu)于Infineon CCoolSemi SJ產(chǎn)品采用先進(jìn)的超結(jié)技術(shù)和優(yōu)化的設(shè)計(jì)結(jié)構(gòu)，極低特征導(dǎo)通電阻（Rdson*A）優(yōu)于Infineon CCoolSemi SJ產(chǎn)品采用先進(jìn)的超結(jié)技術(shù)和優(yōu)化的設(shè)計(jì)結(jié)構(gòu)，極低特征導(dǎo)通電阻（Rdson*A）優(yōu)于Infineon CCoolSemi SJ產(chǎn)品采用先進(jìn)的超結(jié)技術(shù)和優(yōu)化的設(shè)計(jì)結(jié)構(gòu)，極低特征導(dǎo)通電阻（Rdson*A）優(yōu)于Infineon CCoolSemi SJ產(chǎn)品采用先進(jìn)的超結(jié)技術(shù)和優(yōu)化的設(shè)計(jì)結(jié)構(gòu)，極低特征導(dǎo)通電阻（Rdson*A）優(yōu)于Infineon CCoolSemi SJ產(chǎn)品采用先進(jìn)的超結(jié)技術(shù)和優(yōu)化的設(shè)計(jì)結(jié)構(gòu)，極低特征導(dǎo)通電阻（Rdson*A）優(yōu)于Infineon CCoolSemi SJ產(chǎn)品采用先進(jìn)的超結(jié)技術(shù)和優(yōu)化的設(shè)計(jì)結(jié)構(gòu)，極低特征導(dǎo)通電阻（Rdson*A）優(yōu)于Infineon CCoolSemi SJ產(chǎn)品采用先進(jìn)的超結(jié)技術(shù)和優(yōu)化的設(shè)計(jì)結(jié)構(gòu)，極低特征導(dǎo)通電阻（Rdson*A）優(yōu)于Infineon CCoolSemi SJ產(chǎn)品采用先進(jìn)的超結(jié)技術(shù)和優(yōu)化的設(shè)計(jì)結(jié)構(gòu)，極低特征導(dǎo)通電阻（Rdson*A）優(yōu)于Infineon CCoolSemi SJ產(chǎn)品采用先進(jìn)的超結(jié)技術(shù)和優(yōu)化的設(shè)計(jì)結(jié)構(gòu)，極低特征導(dǎo)通電阻（Rdson*A）優(yōu)于Infineon CCoolSemi SJ產(chǎn)品采用先進(jìn)的超結(jié)技術(shù)和優(yōu)化的設(shè)計(jì)結(jié)構(gòu)，極低特征導(dǎo)通電阻（Rdson*A）優(yōu)于Infineon CCoolSemi SJ產(chǎn)品采用先進(jìn)的超結(jié)技術(shù)和優(yōu)化的設(shè)計(jì)結(jié)構(gòu)，極低特征導(dǎo)通電阻（Rdson*A）優(yōu)于Infineon CCoolSemi SJ產(chǎn)品采用先進(jìn)的超結(jié)技術(shù)和優(yōu)化的設(shè)計(jì)結(jié)構(gòu)，極低特征導(dǎo)通電阻（Rdson*A）優(yōu)于Infineon CCoolSemi SJ產(chǎn)品采用先進(jìn)的超結(jié)技術(shù)和優(yōu)化的設(shè)計(jì)結(jié)構(gòu)，極低特征導(dǎo)通電阻（Rdson*A）優(yōu)于Infineon CCoolSemi SJ產(chǎn)品采用先進(jìn)的超結(jié)技術(shù)和優(yōu)化的設(shè)計(jì)結(jié)構(gòu)，極低特征導(dǎo)通電阻（Rdson*A）優(yōu)于Infineon CCoolSemi SJ產(chǎn)品采用先進(jìn)的超結(jié)技術(shù)和優(yōu)化的設(shè)計(jì)結(jié)構(gòu)，極低特征導(dǎo)通電阻（Rdson*A）優(yōu)于Infineon CCoolSemi SJ產(chǎn)品采用先進(jìn)的超結(jié)技術(shù)和優(yōu)化的設(shè)計(jì)結(jié)構(gòu)，極低特征導(dǎo)通電阻（Rdson*A）優(yōu)于Infineon CCoolSemi SJ產(chǎn)品采用先進(jìn)的超結(jié)技術(shù)和優(yōu)化的設(shè)計(jì)結(jié)構(gòu)，極低特征導(dǎo)通電阻（Rdson*A）優(yōu)于Infineon CCoolSemi SJ產(chǎn)品采用先進(jìn)的超結(jié)技術(shù)和優(yōu)化的設(shè)計(jì)結(jié)構(gòu)，極低特征導(dǎo)通電阻（Rdson*A）優(yōu)于Infineon CCoolSemi SJ產(chǎn)品采用先進(jìn)的超結(jié)技術(shù)和優(yōu)化的設(shè)計(jì)結(jié)構(gòu)，極低特征導(dǎo)通電阻（Rdson*A）優(yōu)于Infineon CCoolSemi SJ產(chǎn)品采用先進(jìn)的超結(jié)技術(shù)和優(yōu)化的設(shè)計(jì)結(jié)構(gòu)，極低特征導(dǎo)通電阻（Rdson*A）優(yōu)于Infineon CCoolSemi SJ產(chǎn)品采用先進(jìn)的超結(jié)技術(shù)和優(yōu)化的設(shè)計(jì)結(jié)構(gòu)，極低特征導(dǎo)通電阻（Rdson*A）優(yōu)于Infineon CCoolSemi SJ產(chǎn)品采用先進(jìn)的超結(jié)技術(shù)和優(yōu)化的設(shè)計(jì)結(jié)構(gòu)，極低特征導(dǎo)通電阻（Rdson*A）優(yōu)于Infineon CCoolSemi SJ產(chǎn)品采用先進(jìn)的超結(jié)技術(shù)和優(yōu)化的設(shè)計(jì)結(jié)構(gòu)，極低特征導(dǎo)通電阻（Rdson*A）優(yōu)于Infineon CCoolSemi SJ產(chǎn)品采用先進(jìn)的超結(jié)技術(shù)和優(yōu)化的設(shè)計(jì)結(jié)構(gòu)，極低特征導(dǎo)通電阻（Rdson*A）優(yōu)于Infineon CCoolSemi SJ產(chǎn)品采用先進(jìn)的超結(jié)技術(shù)和優(yōu)化的設(shè)計(jì)結(jié)構(gòu)，極低特征導(dǎo)通電阻（Rdson*A）優(yōu)于Infineon CCoolSemi SJ產(chǎn)品采用先進(jìn)的超結(jié)技術(shù)和優(yōu)化的設(shè)計(jì)結(jié)構(gòu)，極低特征導(dǎo)通電阻（Rdson*A）優(yōu)于Infineon CCoolSemi SJ產(chǎn)品采用先進(jìn)的超結(jié)技術(shù)和優(yōu)化的設(shè)計(jì)結(jié)構(gòu)，極低特征導(dǎo)通電阻（Rdson*A）優(yōu)于Infineon CCoolSemi SJ產(chǎn)品采用先進(jìn)的超結(jié)技術(shù)和優(yōu)化的設(shè)計(jì)結(jié)構(gòu)，極低特征導(dǎo)通電阻（Rdson*A）優(yōu)于Infineon CCoolSemi SJ產(chǎn)品采用先進(jìn)的超結(jié)技術(shù)和優(yōu)化的設(shè)計(jì)結(jié)構(gòu)，極低特征導(dǎo)通電阻（Rdson*A）優(yōu)于Infineon CCoolSemi SJ產(chǎn)品采用先進(jìn)的超結(jié)技術(shù)和優(yōu)化的設(shè)計(jì)結(jié)構(gòu)，極低特征導(dǎo)通電阻（Rdson*A）優(yōu)于Infineon CCoolSemi SJ產(chǎn)品采用先進(jìn)的超結(jié)技術(shù)和優(yōu)化的設(shè)計(jì)結(jié)構(gòu)，極低特征導(dǎo)通電阻（Rdson*A）優(yōu)于Infineon CCoolSemi SJ產(chǎn)品采用先進(jìn)的超結(jié)技術(shù)和優(yōu)化的設(shè)計(jì)結(jié)構(gòu)，極低特征導(dǎo)通電阻（Rdson*A）優(yōu)于Infineon CCoolSemi SJ產(chǎn)品采用先進(jìn)的超結(jié)技術(shù)和優(yōu)化的設(shè)計(jì)結(jié)構(gòu)，極低特征導(dǎo)通電阻（Rdson*A）優(yōu)于Infineon CCoolSemi SJ產(chǎn)品采用先進(jìn)的超結(jié)技術(shù)和優(yōu)化的設(shè)計(jì)結(jié)構(gòu)，極低特征導(dǎo)通電阻（Rdson*A）優(yōu)于Infineon CCoolSemi SJ產(chǎn)品采用先進(jìn)的超結(jié)技術(shù)和優(yōu)化的設(shè)計(jì)結(jié)構(gòu)，極低特征導(dǎo)通電阻（Rdson*A）優(yōu)于Infineon CCoolSemi SJ產(chǎn)品采用先進(jìn)的超結(jié)技術(shù)和優(yōu)化的設(shè)計(jì)結(jié)構(gòu)，極低特征導(dǎo)通電阻（Rdson*A）優(yōu)于Infineon CCoolSemi SJ產(chǎn)品采用先進(jìn)的超結(jié)技術(shù)和優(yōu)化的設(shè)計(jì)結(jié)構(gòu)，極低特征導(dǎo)通電阻（Rdson*A）優(yōu)于Infineon CCoolSemi SJ產(chǎn)品采用先進(jìn)的超結(jié)技術(shù)和優(yōu)化的設(shè)計(jì)結(jié)構(gòu)，極低特征導(dǎo)通電阻（Rdson*A）優(yōu)于Infineon CCoolSemi SJ產(chǎn)品采用先進(jìn)的超結(jié)技術(shù)和優(yōu)化的設(shè)計(jì)結(jié)構(gòu)，極低特征導(dǎo)通電阻（Rdson*A）優(yōu)于Infineon CCoolSemi SJ產(chǎn)品采用先進(jìn)的超結(jié)技術(shù)和優(yōu)化的設(shè)計(jì)結(jié)構(gòu)，極低特征導(dǎo)通電阻（Rdson*A）優(yōu)于Infineon CCoolSemi SJ產(chǎn)品采用先進(jìn)的超結(jié)技術(shù)和優(yōu)化的設(shè)計(jì)結(jié)構(gòu)，極低特征導(dǎo)通電阻（Rdson*A）優(yōu)于Infineon CCoolSemi SJ產(chǎn)品采用先進(jìn)的超結(jié)技術(shù)和優(yōu)化的設(shè)計(jì)結(jié)構(gòu)，極低特征導(dǎo)通電阻（Rdson*A）優(yōu)于Infineon CCoolSemi SJ產(chǎn)品采用先進(jìn)的超結(jié)技術(shù)和優(yōu)化的設(shè)計(jì)結(jié)構(gòu)，極低特征導(dǎo)通電阻（Rdson*A）優(yōu)于Infineon CCoolSemi SJ產(chǎn)品采用先進(jìn)的超結(jié)技術(shù)和優(yōu)化的設(shè)計(jì)結(jié)構(gòu)，極低特征導(dǎo)通電阻（Rdson*A）優(yōu)于Infineon CCoolSemi SJ產(chǎn)品采用先進(jìn)的超結(jié)技術(shù)和優(yōu)化的設(shè)計(jì)結(jié)構(gòu)，極低特征導(dǎo)通電阻（Rdson*A）優(yōu)于Infineon CCoolSemi SJ產(chǎn)品采用先進(jìn)的超結(jié)技術(shù)和優(yōu)化的設(shè)計(jì)結(jié)構(gòu)，極低特征導(dǎo)通電阻（Rdson*A）優(yōu)于Infineon CCoolSemi SJ產(chǎn)品采用先進(jìn)的超結(jié)技術(shù)和優(yōu)化的設(shè)計(jì)結(jié)構(gòu)，極低特征導(dǎo)通電阻（Rdson*A）優(yōu)于Infineon C

產(chǎn)品性能: 不限

超結(jié)器件（Super Junction MOSFET）實(shí)現(xiàn)N型和P型周期排列結(jié)型耐壓層，引入高濃度等量異型電荷，從表面場(chǎng)超結(jié)器件（Super Junction MOSFET）實(shí)現(xiàn)N型和P型周期排列結(jié)型耐壓層，引入高濃度等量異型電荷，從表面場(chǎng)超結(jié)器件（Super Junction MOSFET）實(shí)現(xiàn)N型和P型周期排列結(jié)型耐壓層，引入高濃度等量異型電荷，從表面場(chǎng)超結(jié)器件（Super Junction MOSFET）實(shí)現(xiàn)N型和P型周期排列結(jié)型耐壓層，引入高濃度等量異型電荷，從表面場(chǎng)超結(jié)器件（Super Junction MOSFET）實(shí)現(xiàn)N型和P型周期排列結(jié)型耐壓層，引入高濃度等量異型電荷，從表面場(chǎng)超結(jié)器件（Super Junction MOSFET）實(shí)現(xiàn)N型和P型周期排列結(jié)型耐壓層，引入高濃度等量異型電荷，從表面場(chǎng)超結(jié)器件（Super Junction MOSFET）實(shí)現(xiàn)N型和P型周期排列結(jié)型耐壓層，引入高濃度等量異型電荷，從表面場(chǎng)超結(jié)器件（Super Junction MOSFET）實(shí)現(xiàn)N型和P型周期排列結(jié)型耐壓層，引入高濃度等量異型電荷，從表面場(chǎng)超結(jié)器件（Super Junction MOSFET）實(shí)現(xiàn)N型和P型周期排列結(jié)型耐壓層，引入高濃度等量異型電荷，從表面場(chǎng)超結(jié)器件（Super Junction MOSFET）實(shí)現(xiàn)N型和P型周期排列結(jié)型耐壓層，引入高濃度等量異型電荷，從表面場(chǎng)超結(jié)器件（Super Junction MOSFET）實(shí)現(xiàn)N型和P型周期排列結(jié)型耐壓層，引入高濃度等量異型電荷，從表面場(chǎng)超結(jié)器件（Super Junction MOSFET）實(shí)現(xiàn)N型和P型周期排列結(jié)型耐壓層，引入高濃度等量異型電荷，從表面場(chǎng)超結(jié)器件（Super Junction MOSFET）實(shí)現(xiàn)N型和P型周期排列結(jié)型耐壓層，引入高濃度等量異型電荷，從表面場(chǎng)超結(jié)器件（Super Junction MOSFET）實(shí)現(xiàn)N型和P型周期排列結(jié)型耐壓層，引入高濃度等量異型電荷，從表面場(chǎng)超結(jié)器件（Super Junction MOSFET）實(shí)現(xiàn)N型和P型周期排列結(jié)型耐壓層，引入高濃度等量異型電荷，從表面場(chǎng)超結(jié)器件（Super Junction MOSFET）實(shí)現(xiàn)N型和P型周期排列結(jié)型耐壓層，引入高濃度等量異型電荷，從表面場(chǎng)超結(jié)器件（Super Junction MOSFET）實(shí)現(xiàn)N型和P型周期排列結(jié)型耐壓層，引入高濃度等量異型電荷，從表面場(chǎng)超結(jié)器件（Super Junction MOSFET）實(shí)現(xiàn)N型和P型周期排列結(jié)型耐壓層，引入高濃度等量異型電荷，從表面場(chǎng)超結(jié)器件（Super Junction MOSFET）實(shí)現(xiàn)N型和P型周期排列結(jié)型耐壓層，引入高濃度等量異型電荷，從表面場(chǎng)超結(jié)器件（Super Junction MOSFET）實(shí)現(xiàn)N型和P型周期排列結(jié)型耐壓層，引入高濃度等量異型電荷，從表面場(chǎng)超結(jié)器件（Super Junction MOSFET）實(shí)現(xiàn)N型和P型周期排列結(jié)型耐壓層，引入高濃度等量異型電荷，從表面場(chǎng)超結(jié)器件（Super Junction MOSFET）實(shí)現(xiàn)N型和P型周期排列結(jié)型耐壓層，引入高濃度等量異型電荷，從表面場(chǎng)超結(jié)器件（Super Junction MOSFET）實(shí)現(xiàn)N型和P型周期排列結(jié)型耐壓層，引入高濃度等量異型電荷，從表面場(chǎng)超結(jié)器件（Super Junction MOSFET）實(shí)現(xiàn)N型和P型周期排列結(jié)型耐壓層，引入高濃度等量異型電荷，從表面場(chǎng)超結(jié)器件（Super Junction MOSFET）實(shí)現(xiàn)N型和P型周期排列結(jié)型耐壓層，引入高濃度等量異型電荷，從表面場(chǎng)超結(jié)器件（Super Junction MOSFET）實(shí)現(xiàn)N型和P型周期排列結(jié)型耐壓層，引入高濃度等量異型電荷，從表面場(chǎng)超結(jié)器件（Super Junction MOSFET）實(shí)現(xiàn)N型和P型周期排列結(jié)型耐壓層，引入高濃度等量異型電荷，從表面場(chǎng)超結(jié)器件（Super Junction MOSFET）實(shí)現(xiàn)N型和P型周期排列結(jié)型耐壓層，引入高濃度等量異型電荷，從表面場(chǎng)超結(jié)器件（Super Junction MOSFET）實(shí)現(xiàn)N型和P型周期排列結(jié)型耐壓層，引入高濃度等量異型電荷，從表面場(chǎng)超結(jié)器件（Super Junction MOSFET）實(shí)現(xiàn)N型和P型周期排列結(jié)型耐壓層，引入高濃度等量異型電荷，從表面場(chǎng)超結(jié)器件（Super Junction MOSFET）實(shí)現(xiàn)N型和P型周期排列結(jié)型耐壓層，引入高濃度等量異型電荷，從表面場(chǎng)超結(jié)器件（Super Junction MOSFET）實(shí)現(xiàn)N型和P型周期排列結(jié)型耐壓層，引入高濃度等量異型電荷，從表面場(chǎng)超結(jié)器件（Super Junction MOSFET）實(shí)現(xiàn)N型和P型周期排列結(jié)型耐壓層，引入高濃度等量異型電荷，從表面場(chǎng)超結(jié)器件（Super Junction MOSFET）實(shí)現(xiàn)N型和P型周期排列結(jié)型耐壓層，引入高濃度等量異型電荷，從表面場(chǎng)超結(jié)器件（Super Junction MOSFET）實(shí)現(xiàn)N型和P型周期排列結(jié)型耐壓層，引入高濃度等量異型電荷，從表面場(chǎng)超結(jié)器件（Super Junction MOSFET）實(shí)現(xiàn)N型和P型周期排列結(jié)型耐壓層，引入高濃度等量異型電荷，從表面場(chǎng)超結(jié)器件（Super Junction MOSFET）實(shí)現(xiàn)N型和P型周期排列結(jié)型耐壓層，引入高濃度等量異型電荷，從表面場(chǎng)超結(jié)器件（Super Junction MOSFET）實(shí)現(xiàn)N型和P型周期排列結(jié)型耐壓層，引入高濃度等量異型電荷，從表面場(chǎng)超結(jié)器件（Super Junction MOSFET）實(shí)現(xiàn)N型和P型周期排列結(jié)型耐壓層，引入高濃度等量異型電荷，從表面場(chǎng)超結(jié)器件（Super Junction MOSFET）實(shí)現(xiàn)N型和P型周期排列結(jié)型耐壓層，引入高濃度等量異型電荷，從表面場(chǎng)超結(jié)器件（Super Junction MOSFET）實(shí)現(xiàn)N型和P型周期排列結(jié)型耐壓層，引入高濃度等量異型電荷，從表面場(chǎng)超結(jié)器件（Super Junction MOSFET）實(shí)現(xiàn)N型和P型周期排列結(jié)型耐壓層，引入高濃度等量異型電荷，從表面場(chǎng)超結(jié)器件（Super Junction MOSFET）實(shí)現(xiàn)N型和P型周期排列結(jié)型耐壓層，引入高濃度等量異型電荷，從表面場(chǎng)超結(jié)器件（Super Junction MOSFET）實(shí)現(xiàn)N型和P型周期排列結(jié)型耐壓層，引入高濃度等量異型電荷，從表面場(chǎng)超結(jié)器件（Super Junction MOSFET）實(shí)現(xiàn)N型和P型周期排列結(jié)型耐壓層，引入高濃度等量異型電荷，從表面場(chǎng)超結(jié)器件（Super Junction MOSFET）實(shí)現(xiàn)N型和P型周期排列結(jié)型耐壓層，引入高濃度等量異型電荷，從表面場(chǎng)超結(jié)器件（Super Junction MOSFET）實(shí)現(xiàn)N型和P型周期排列結(jié)型耐壓層，引入高濃度等量異型電荷，從表面場(chǎng)超結(jié)器件（Super Junction MOSFET）實(shí)現(xiàn)N型和P型周期排列結(jié)型耐壓層，引入高濃度等量異型電荷，從表面場(chǎng)超結(jié)器件（Super Junction MOSFET）實(shí)現(xiàn)N型和P型周期排列結(jié)型耐壓層，引入高濃度等量異型電荷，從表面場(chǎng)超結(jié)器件（Super Junction MOSFET）實(shí)現(xiàn)N型和P型周期排列結(jié)型耐壓層，引入高濃度等量異型電荷，從表面場(chǎng)超結(jié)器件（Super Junction MOSFET）實(shí)現(xiàn)N型和P型周期排列結(jié)型耐壓層，引入高濃度等量異型電荷，從表面場(chǎng)超結(jié)器件（Super Junction MOSFET）實(shí)現(xiàn)N型和P型周期排列結(jié)型耐壓層，引入高濃度等量異型電荷，從表面場(chǎng)超結(jié)器件（Super Junction MOSFET）實(shí)現(xiàn)N型和P型周期排列結(jié)型耐壓層，引入高濃度等量異型電荷，從表面場(chǎng)超結(jié)器件（Super Junction MOSFET）實(shí)現(xiàn)N型和P型周期排列結(jié)型耐壓層，引入高濃度等量異型電荷，從表面場(chǎng)超結(jié)器件（Super Junction MOSFET）實(shí)現(xiàn)N型和P型周期排列結(jié)型耐壓層，引入高濃度等量異型電荷，從表面場(chǎng)超結(jié)器件（Super Junction 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極性: 不限

擊穿電壓VDS(V): 不限

最大漏源電流ID（A）: 不限

 500~1000V 深溝槽超結(jié)SJ MOS

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