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功成半導(dǎo)體 一級代理 500~1000V 深溝槽超結(jié)SJ MOS CPP65R190G1

型號：
CPP65R190G1
制造商：
功成半導(dǎo)體
批號：
CPP65R190G1
描述：
-
庫存：
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詢價數(shù)量：
溝槽類型 : N-channel Super Junction MOSFET
工藝技術(shù) : 深溝槽超結(jié)MOS
極性 : N-channel
導(dǎo)通內(nèi)阻Rdson @10V(mΩ).Max : 190
封裝形式 : TO-220
擊穿電壓VDS(V) : 650
導(dǎo)通內(nèi)阻RDS(on)(mΩ)@10V Typ. : 160
最大漏源電流ID（A） : 21
產(chǎn)品性能 : 超結(jié)器件（Super Junction MOSFET）實現(xiàn)N型和P型周期排列結(jié)型耐壓層，引入高濃度等量異型電荷，從表面場
產(chǎn)品優(yōu)勢 : CoolSemi SJ產(chǎn)品采用先進(jìn)的超結(jié)技術(shù)和優(yōu)化的設(shè)計結(jié)構(gòu)，極低特征導(dǎo)通電阻（Rdson*A）優(yōu)于Infineon C
產(chǎn)品關(guān)鍵字 : CPP65R190G1
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