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廣晟微半導(dǎo)體（深圳）有限公司

GSmicro Semiconductor (Shenzhen) Co., Ltd.

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馬達(dá)驅(qū)動(dòng)&柵極驅(qū)動(dòng): 馬達(dá)驅(qū)動(dòng)&柵極驅(qū)動(dòng)

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12-250V Trench溝槽N-MOS30-250V SGT N-MOS300-12V P-MOS500~1000V 深溝槽超結(jié)SJ MOS55-1000V 平面MOS600~800V多層外延超結(jié)MOS1200V/1700V碳化硅SiC MOS650V/1200V碳化硅SiC肖特基二極管IGBTIPMN+N 雙溝道N-MOSP+P 雙溝道P-MOSN+P雙溝道MOS

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12-250V Trench溝槽N-MOS 篩選

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制造商 : 不限

APM

分類目錄: 不限

12-250V Trench溝槽N-MOS

產(chǎn)品關(guān)鍵字: 不限

N-MOS,APM MPS,臺(tái)灣永源微，N+P溝道MOS,100V N+P-溝道MOS，開關(guān)MOS，N+P-MOS,N+P場(chǎng)效應(yīng)管，N+P雙MOS管

典型應(yīng)用方案: 不限

美容霧化,小信號(hào)開關(guān)MOS,蓄電池保護(hù), Load switch 負(fù)載開關(guān),UPS●蓄電池保護(hù) ●負(fù)載開關(guān) ●不間斷電源

替代型號(hào): 不限

3N10，

反饋結(jié)電容Crss: 不限

Crss=23pF,

輸出結(jié)電容Coss: 不限

Coss=41pF,

輸入結(jié)電容Ciss: 不限

Ciss=711pF,

柵漏電荷Qgd: 不限

Qgd=2.4nC,

柵源電荷Qgs: 不限

Qgs=2.2nC,N溝道：Qgs=1.4nC,P溝道：Qgs=3.5nC,

總柵極電荷Qg: 不限

Qg=13.6nC,N溝道：Qg=7.6nC,P溝道：Qg=20nC,

開啟電壓Vgs(th): 不限

Vgs(th).Min.=1.0V,Vgs(th).Typ=1.5V,Vgs(th).Max.=2.5V,N溝道：Vgs(th)=3.0V,P溝道：Vgs(th)=-3.0V,

導(dǎo)通內(nèi)阻Rdson @4.5V(mΩ): 不限

Rdson [email protected]=320mΩ,N溝道：RDS(ON) < 300mΩ @ VGS=4.5V；P溝道：RDS(ON) < 230mΩ @ VGS=4.5

導(dǎo)通內(nèi)阻Rdson @10V(mΩ): 不限

Rdson Max.@10V=310mΩ,N溝道：RDS(ON) < 75mΩ @ VGS=10V；P溝道：RDS(ON) < 210mΩ @ VGS=10V，

Ron*Qg(優(yōu)值，F(xiàn)OM)(Ω.nC): 不限

無(wú)靜電保護(hù)，N溝道：FOM=0.57Ω.nC,P溝道：FOM=4.2Ω.nC

最大驅(qū)動(dòng)電壓VGS (±V): 不限

VGS=±20,VGS=±20，

最大漏源電流ID（A）: 不限

ID =2.8 A,N溝道：ID =8A，P溝道： ID =-6.5A ，

擊穿電壓VDS(V): 不限

VDS = 100V,VDS = 100V,

最小包裝MOQ（Pcs）: 不限

3000PCS,5000PCS,

工藝技術(shù): 不限

溝槽工藝Trench N-MOS,AP8G06NF采用先進(jìn)的溝槽技術(shù) 以提供優(yōu)異的RDS（ON）、低柵極電荷和柵極電壓低至4.5V時(shí)的操作。

極性: 不限

N-MOS,N+P-溝道MOS，N+P雙MOS

溝槽類型: 不限

Trench溝槽工藝N+P-MOS，100V N溝道增強(qiáng)型MOSFET,

封裝形式: 不限

PDFN5*6-8L，

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12-250V Trench溝槽N-MOS

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	查看大圖	AP15N10Y	APM	暫無(wú)價(jià)格	0	正常出貨	AP15N10Y...
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