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功率器件：MOSFET規(guī)格書解讀及MOSFET如何選型？.pdf
廣晟微半導(dǎo)體-APM-MOS產(chǎn)品選型手冊-2022正式版.pdf
一、 如何解讀 MOSFET 規(guī)格書
注意：下面為兩個(gè)典型同行的規(guī)格書標(biāo)注
第一個(gè)規(guī)格書為只標(biāo)注 Type，第二個(gè)規(guī)格書 Type 都不標(biāo)注直接就等于號，這樣很容易客戶出現(xiàn)誤解，把我們規(guī)格書首頁的最大值去匹配他們的典型值。同時(shí)這里面會存在一個(gè)隱患，因?yàn)镸OSFET 參數(shù)本身是一個(gè)會存在離散的，如果規(guī)格書首頁標(biāo)注的是典型值，客戶誤解以為是標(biāo)準(zhǔn)參數(shù)，大客戶測試標(biāo)準(zhǔn)是根據(jù)規(guī)格書測試，假設(shè)標(biāo)準(zhǔn)為 13Mr 內(nèi)阻,但是由于離散在 15Mr，但是因?yàn)樽畲笾翟?18Mr 所以他在測試的時(shí)候不會篩掉。但是大客戶根據(jù)你測試出來在 15Mr，比你標(biāo)準(zhǔn)的內(nèi)阻高了 2Mr，這個(gè)時(shí)候很容易造成誤解從而會進(jìn)入大客戶黑名單，所以一般來說，行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)類似英飛凌，ON，ST 或者臺系品牌或者新結(jié)能等品牌都是在首頁標(biāo)注最大值。(Type:典型值 Min：最小值 Max：最大值)
注意：
開啟電壓：
這里很多人員剛接觸 MOS 會有一個(gè)誤區(qū)，認(rèn)為我只需要給到規(guī)格書標(biāo)注的電壓就可以將 MOS 打開，這個(gè)是有問題。MOS 分成半導(dǎo)通（圖一）和全導(dǎo)通兩種概念。當(dāng)你給到驅(qū)動電壓值后 MOS 會打開，但是會處于半導(dǎo)通，當(dāng)你給到一定壓降后 MOS 才會完全打開。
全導(dǎo)通條件：Vth（Type）x3=完全導(dǎo)通電壓
注：實(shí)際條件下可以參考 Type 值作為參考值，但是建議理論上要根據(jù)最大值作為計(jì)算值
一般情況下不同開啟電壓內(nèi)阻可以參考如下公式（不可作為標(biāo)準(zhǔn)，僅供參考）
結(jié)電容：
關(guān)于結(jié)電容數(shù)據(jù)，很多工程師一直糾結(jié)結(jié)電容數(shù)據(jù)，認(rèn)為結(jié)電容越低越好。 但是其實(shí)對于結(jié)電容數(shù)據(jù)來看，他代表的是柵氧層厚度，結(jié)電容越大。一般情況下，結(jié)電容越大，芯片尺寸 越大。對應(yīng)開關(guān)速度會比較慢根據(jù)開關(guān)速度，我們總結(jié)了一些我們客戶的一些對結(jié)電容的參考對照表
二、如何比較替換 MOSFET。
MOS 匹配替換幾個(gè)指標(biāo)：
A：Design process（設(shè)計(jì)工藝）
B：channel（溝道）
C：Package（封裝形式）
D：BVDSS（耐壓）
E：RDS-Type/RDSMax（內(nèi)阻）
F：Vth（開啟電壓）
注：請注意關(guān)于內(nèi)阻，很多公司都是為了迎合市場需要往往在首頁標(biāo)注典型值/最小值。對比原則要一一對應(yīng)。
1、當(dāng)客戶咨詢 A 型號 MOS，你們是否有替換的產(chǎn)品的時(shí)候。該如何處理？
例如：客戶咨詢英飛凌 IPP070N08N3G,該如何去匹配替換的型號呢？
先上半導(dǎo)小芯 http://www.semiee.com/ 官網(wǎng)輸入英飛凌型號，查看首頁查看：設(shè)計(jì)工藝，溝道，封裝形式
接下來主要要查看第二頁數(shù)據(jù)：耐壓，開啟電壓，內(nèi)阻典型值
步驟一：對照 APM mosfet list，先挑選工藝
Opti 工藝對應(yīng) SGT 工藝。
步奏二：進(jìn)入 VDS（耐壓）篩選表，對應(yīng)耐壓值篩選按鍵。例如：IPP070N08N3G 為 80V 產(chǎn)品，因此勾選 80 或者 80V 以上的產(chǎn)品耐壓
步驟三：找到 Package 篩選頁面，找到對應(yīng)的封裝形式。例如：IPP070N08N3G 為 TO-220-3
步驟四：找到 Vgs（th）表格，挑選典型值接近產(chǎn)品，（注意：是接近的，MOSFET 是沒有絕對一樣的典型值的，接近的即可）
步驟五：找到 RDS-10V 這個(gè)系列，選擇典型值接近的產(chǎn)品。
步驟六：選擇常出貨的產(chǎn)品：最后選擇了 AP120N08P
三、如何從源頭設(shè)計(jì)選型 MOS。
步驟一：先選擇驅(qū)動電壓（Vth）
判斷 MOSFET GS 實(shí)際驅(qū)動電壓是多少，根據(jù)公式：完全導(dǎo)通電壓=Vth*3。計(jì)算出應(yīng)該選擇 MOS 的驅(qū)動電壓
的范圍，（在很多時(shí)候可以參考 MOS 的 Vth Type）
步奏二：選擇合適的耐壓（VDS）
常規(guī)而言，VDS=實(shí)際工作電壓*1.5。
但是根據(jù)不同應(yīng)用會產(chǎn)生不同的余量設(shè)計(jì)，下面是根據(jù)不同應(yīng)用匯總的一個(gè)參考指標(biāo)
步驟三：選擇合適的封裝（Package）
1、考量封裝形式通用性
2、考量產(chǎn)品設(shè)計(jì)的尺寸大小
3、考量產(chǎn)品功率和設(shè)計(jì)余量溫度，根據(jù)封裝熱阻系數(shù)選擇封裝形式
熱阻系數(shù)：表示功率每上升 1W，會產(chǎn)生多少溫度
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