外置MOS，最大驅動50N MOSFET共陽極LED恒流芯片Hi7000D產(chǎn)品應用描述：

 Hi7000D 是一款外圍電路簡單的多功能平均電流型 LED 恒流驅動器，適用於寬電壓範圍的非隔離式大功 率恒流 LED 驅動領域。

 Hi7000D芯片 PWM 端口支持超小占空比的 PWM 調光， 可響應最小 60ns 脈寬。芯片Hi7000D采用我司專利算法，為客戶提供最佳解決方案，最大限度地發(fā)揮燈具優(yōu)勢，以實現(xiàn)景觀舞臺燈高輝的調光效果，65536（256*256） 級高輝調光。PWM 端口為高電平時，芯片正常工作。為低電平時，芯片輸出關閉。

 芯片Hi7000D采用我司專利的平均電流控製算法，輸出電流恒流精度 ≤±3％，且輸出電流受輸入輸出電壓、系 統(tǒng)電感的影響??；芯片內部集成環(huán)路補償，外圍電路 簡潔，系統(tǒng)更加穩(wěn)定可靠。芯片通過對 LD 端口實現(xiàn)模擬調光功能。LD 接 0.2-1.2V 模擬調光信號輸入時，系統(tǒng)為模擬調光模式。

LD 模擬調光模式時，端口電壓低於 0.2V，輸出關閉。 也可以利用 LD 的模擬調光特性，配合 PWM 調光， 實現(xiàn)軟啟動功能。LD、PWM 引腳懸空時，建議與 VDD 引腳短接在 一起使用。

外置MOS，最大驅動50N MOSFET共陽極LED恒流芯片Hi7000D應用:

●景觀亮化LED照明

●舞臺調光效果燈

●高端汽車車燈LED照明

●LCD 背光照明

●建築照明

外置MOS，最大驅動50N MOSFET共陽極LED恒流芯片Hi7000D驅動特性：

● Hi7000D支持高輝調光，65536:1 調光比。

● Hi7000D輸入電壓範圍5V至100V寬輸入的電源電壓

● Hi7000D平均電流工作模式,輸出電流可調範圍 60mA~5A

● Hi7000D內置 5V 穩(wěn)壓管

● Hi7000D外驅 MOSFET，最大驅動 50N

● Hi7000D最大工作頻率 1MHz

●Hi7000D芯片 恒流精度≤±3%

●Hi7000支持PWM調光/模擬調光/分段調光

● Hi7000D采用標準小尺寸封裝：sot23-6

共陽極LED恒流芯片Hi7000D引腳定義和封裝尺寸：

共陽極LED恒流芯片Hi7000D芯片內部電路框架圖

開關降壓，共陽極LED恒流驅動芯片Hi7000D典型應用電路

開關降壓型共陽極LED恒流芯片Hi7000D單路調光應用方案原理圖

開關降壓型共陽極LED恒流芯片Hi7000D原理圖-RGBW 四路調光方案電路

開關降壓，共陽極LED恒流驅動芯片Hi7000D應用說明

  Hi7000D 是一款外圍電路簡單的多功能平均電流型 LED 恒流驅動器，適用於超寬電壓範圍的非隔離式恒流 LED 驅動領域。通過對 CS 端口的電流采樣來實現(xiàn)精準的電流控製，芯片集成了多種調光模式，拓展了系統(tǒng)應用。

輸出電流

   輸出電流由芯片內部的誤差放大器采樣並且和內部的 0.2V 進行比較以及誤差放大，從而實現(xiàn)系統(tǒng)的恒流控製，輸出電流公式如下:

Iout=0.2V/RCS*A

其中 Iout 為輸出電流，Rcs 為系統(tǒng)的檢流電阻。

Hi7000D芯片啟動

Hi7000D系統(tǒng)上電後通過啟動電阻對連接於電源引腳 VDD 的電容充電，當電源電壓高於 4.5V 後，芯片電路開始工作，直到 VDD 端口電壓穩(wěn)定達到鉗位電壓 5.2V 左右，芯片的供電電流主要有 VDD端口接入的電阻 R3 提供，對於不同的功率 MOS，需要調整該電阻的大小以適應系統(tǒng)的電流損耗，MOS 越大，電阻越小，輸入電壓越低，需要的電阻越小，電阻 R3 的取值請參考 9.6。

Hi7000D調光設置

當LD 接入 0.2V~1.2V 模擬信號時，芯片進入模擬調光模式，當 LD 端口低於 0.2V 以下關閉輸出。而且 LD 端口也可以實現(xiàn) PWM 調光的功能，用 LD 端口進行 PWM 調光的時候 LD 端口的高電平要超過 1.2V。對 LD 腳並聯(lián)電容，可以實現(xiàn)軟啟動功能。此外 PWM 端口支持超小占空比的 PWM 調光，可以響應<60ns 的 PWM 脈寬波形，當 PWM 信號為低電平，輸出關閉，當 PWM 信號為高電平，輸出開啟，懸空的時候默認該端口為高電平輸入。

Hi7000D的電感選擇

 由於芯片原理設定，不同的電感值，會影響到驅動的開關頻率。電感值決定了輸出電流在開關時的升降斜率，而電流斜率決定了 FET 開關時電流從波谷到波峰和波峰到波谷消耗的時間。

DCR_L是電感的直流電阻值，V_LED 是 LED 的壓降，FET_RDS(ON)是功率 MOSFET 的導通電阻，V_diode為蓄流二極管的壓降。開關頻率可由下公式計算：  

電感值越大，輸出電流的開關越緩慢。由於 CS 檢測到 MOSFET 的開關之間存在傳播延時，使得期望值和真實的紋波電流之間存在細微的差異。但是，選擇電感時，不應使電流峰值超過電感的額定飽和電流。