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基于CSC03A實現的高性能,高PFC,低THD的隔離LED驅動電源設計方案

信息來源 : 網絡 發(fā)布時間:2013-04-08 07:11 | 12372 次瀏覽
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基于CSC03A+A433實現的高性能,高PFC,低THD的隔離LED驅動電源設計方案

   隨著大功率LED光源的大量使用,對LED驅動器的技術要求是與日俱增。本文提供照明應用針對18W外置電源的設計。CSC03A應用在由臨界電流模式控制IC所控制的反激轉換電路,能夠高效率,高性能。同時提供各種保護以提高驅動的可靠性。

  基于CSC03A+A433實現的LED驅動電源設計

  反激AC-DC轉換從成本和功率密度的角度,仍是比二級轉換更具吸引力的解決方案。反激AC-DC轉換器可直接將AC輸入電壓轉換成DC輸出電壓,并且不需要前穩(wěn)壓器,如圖一所示:

圖一 反激AC-DC轉換器

圖一 反激AC-DC轉換器

  圖二所示是返馳式反激AC-DC轉換器的電路圖。CSC03A是作為控制器使用,并應用CV(恒定電壓)和CC(恒定電流)模式反饋電路,以防止過載和過壓的情況。在LED照明中,輸出一定是滿載的情況,且如果LED的接面溫度升高的話,LED的正向電壓會降低。因此,在正常狀態(tài)下,應該用CC模式來控制輸出,而CV模式僅用于過電壓保護。

圖二 返馳式反激AC-DC轉換器的電路圖

圖二 返馳式反激AC-DC轉換器的電路圖。

  CSC03A是CRM PFC控制器;其開關的開啟時間是固定的,但關閉時間則會隨著穩(wěn)定狀態(tài)而改變。因此,切換頻率會隨著圖三中所示的輸入電壓變化而變化。

圖三 切換頻率隨輸入電壓變化

圖三 切換頻率隨輸入電壓變化

  圖四所示為一次側開關電流,二次側二極管電流和閘極信號理論波形的圖解。在零電流情況下,MOSFET Q 開啟時,快恢復二極管(Fast Recovery Diode,FRD)Do 是關閉的,而在硬式切換的情況下,Q關閉時Do是開啟的。

圖四 理論波形

圖四 理論波形

   設計范例

  此處為使用CSC03A實現的針對18W返馳式AC-DC外置電源的設計指南。

  表一所示為應用的系統(tǒng)參數。

表一 系統(tǒng)參數

表一 系統(tǒng)參數

  1.返馳式變壓器的設計

  在返馳式轉換器中,變壓器是較容易飽和的,因為它只用于B-H回路的第一象限。此外,如果在臨界導通模式中運作,則峰值電流會比在連續(xù)導通模式中高很多。因此,此處應該插入氣隙以防止變壓器飽和。

  在返馳式反激AC-DC轉換器中也應該考慮合適的匝數比N1/N2,因為MOSFET的最大電壓額定值和快恢復二極管(Fast Recovery Diode,FRD)與變壓器的匝數比強烈相關。根據變壓器的匝數比,MOSFET的漏極和源級電壓額定值Vds與FRD的逆向電壓額定值VR之間,存在著一種權衡關系。匝數比(N2/N1)較大時,FRD的VR要高,但MOSFET的Vds要低。相反地,匝數比較小時,會對MOSFET形成較高的電壓壓力,但FRD的VR會降低。

  從Po=η﹒Vin﹒Iin可得知,最大線電流為:

  如果切換頻率fs遠高于AC線頻率fac,則可假設在一個切換周期內的輸入電流是恒定的。 sfacf若要定義變壓器的激磁電感,就必須定義最大周期。當應用最小輸入電壓時,最大切換周期發(fā)生在輸入電壓的峰值I in(max)_pk。此峰值可定義為:

  其值分別為:

  變壓器一次側電壓VT定義為:

  同樣,峰值電流為:

  因此,激磁電感可用下列公式求得:

  有數種方式可用來定義所需電感的匝數,但最普遍和最簡單的方式是使用AL-值。將AL-值套入下列公式中便可獲得匝數:

  但是,如果在磁芯中插入氣隙,設計人員便應找出AL-值。此應用方案采用EFD25磁芯骨架,因此可通過方程式(6)算出一次側的匝數為75。實際繞制變壓器,一次側匝數為70。實測激磁電感為1.12MH。

  利用下列方程式算出二次側匝數為:

  實際繞制,輸出調整為33圈。

  2.MOSFET 和 FRD

  MOSFET壓力應力計算方程式為:

  其中Vsn是緩沖電路的最大電容器電壓,Vf為返馳電壓,VLr為在變壓器漏電感處的振鈴電壓。Vf可由推到而得,而VLr一般估計為返馳電壓Vf的1.5倍。因此,MOSFET的最大電壓可用下列公式求得:

  最大RMS電流和峰值電流分別為:

  因此,在考慮到余量時,會選擇N通道增強型MOSFET,7N65C(650V,7A)。

  FRD的最大逆向電壓和順向峰值電流分別為:

  因此,在考慮到余量時,會選擇SF26.

  3.緩沖電路設計

圖五 緩沖電路

圖五 緩沖電路

  在返馳式轉換器中,Lleak和Coss之間的諧振會導致極高的電壓突波,在關閉期間可能會對MOSFET造成

損害。此電壓突波必須受到抑制。因此必須使用緩沖電路來防止MOSFET發(fā)生故障。


  因此:

  Lleak為初級電感漏感。

緩沖電路的最大功耗可表示為:

  最大功耗為:

  其中Vc=Vsn=Vf+Vlr

  因此,可算出電阻值Rsn:

  緩沖電路的最大漣波電壓可用下列公式求得:

  緩沖電容的結果值越大,電壓漣波越低,但功耗會增加。因此,選擇適當的值很重要。一般而言,依照合理的估算,可決定緩沖電路的突波電壓為返馳電壓Vf的1.5倍,而漣波電壓△vc 為50V.因此,緩沖電阻和電容可用下列方程求得:

  式中Lleak為初級電感漏感,取值15uH。

  其中,最小工作周期可用下列公式求得:

  4.檢測電阻

圖6 檢測電阻電路

圖六 檢測電阻電路

  CSC03A的CS管腳在瞬態(tài)期間或過載的情況下,會限制峰值電流并保護MOSFET.通常在合理的情況下,會限制為切換峰值電流的1.5倍。切換峰值電流的限制位準和檢測電阻可用下列公式求得:

  5.次級反饋

  LED照明的電源供應器必須是以恒定電流(CC)模式來控制。

  次級恒流采樣

  A433是三端可編程并聯(lián)穩(wěn)壓二極管,通過2個外部的電阻可從VERF編程至36V.灌電流能力1mA~50mA,采用低壓基準196mV.可靠的全范圍溫度系數。

  其應用優(yōu)點:1.元器件個數少,電路更優(yōu)化

  2.焊接成本低

  3.不需要大功率采樣電阻

  4.恒流精度更易控制

  5.配合優(yōu)良變壓器,電路整體效率提高

  實驗結果

  為驗證本技術應用文件中的設計指南的有效性,建立實物測試。

圖七:基于CSC6562A+A433的18W應用電路圖

圖七:基于CSC03A+A433的18W應用電路圖

表二:基于CSC03A+A433的18W(45V,400MA)應用方案實測數據

表二:基于CSC6562A+A433的18W(45V,400MA)應用方案實測數據

  本文小結

  針對LED市場的日益發(fā)展,對驅動電源的更高要求。CSC03A以全新的設計理念,具備全電壓輸入,低反饋電壓,高PFC,寬輸出電壓電流范圍,高輸出功率,高效率,設計靈活,優(yōu)異的熱管理,高可靠性,容易獲得EMI/安規(guī)的認證的全面設計特點,更適用于LED照明驅動電源的應用。

關鍵字:CSC03A  A433 LED驅動電源 高PFC 高效率 低THD L6561 L6562 L6562A OB6561 OB6563 SN03 MT7930 BP3309 SA7527 SA7529


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