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APM 一級代理 N+P雙溝道MOS AP8G10NF

型號：
AP8G10NF
制造商：
APM
批號：
永源微AP8G10NF
描述：
Trench溝槽工藝N+P-MOS
庫存：
0 PCS
PDF：
下載數(shù)據(jù)手冊 Download PDF
詢價(jià)數(shù)量：
封裝形式 : PDFN5*6-8L，
典型應(yīng)用方案 : ●蓄電池保護(hù) ●負(fù)載開關(guān) ●不間斷電源
產(chǎn)品關(guān)鍵字 : N+P溝道MOS,100V N+P-溝道MOS，開關(guān)MOS，N+P-MOS,N+P場效應(yīng)管，N+P雙MOS管
溝槽類型 : Trench溝槽工藝N+P-MOS，
極性 : N+P-溝道MOS，N+P雙MOS
工藝技術(shù) : AP8G06NF采用先進(jìn)的溝槽技術(shù) 以提供優(yōu)異的RDS（ON）、低柵極電荷和 柵極電壓低至4.5V時(shí)的操作。
最小包裝MOQ（Pcs） : 5000PCS,
擊穿電壓VDS(V) : VDS = 100V,
最大漏源電流ID（A） : N溝道：ID =8A，P溝道： ID =-6.5A ，
最大驅(qū)動(dòng)電壓VGS (±V) : VGS=±20，
導(dǎo)通內(nèi)阻Rdson @10V(mΩ) : N溝道：RDS(ON) < 75mΩ @ VGS=10V；P溝道：RDS(ON) < 210mΩ @ VGS=10V，
導(dǎo)通內(nèi)阻Rdson @4.5V(mΩ) : N溝道：RDS(ON) < 300mΩ @ VGS=4.5V；P溝道：RDS(ON) < 230mΩ @ VGS=4.5
開啟電壓Vgs(th) : N溝道：Vgs(th)=3.0V,P溝道：Vgs(th)=-3.0V,
總柵極電荷Qg : N溝道：Qg=7.6nC,P溝道：Qg=20nC,
柵源電荷Qgs : N溝道：Qgs=1.4nC,P溝道：Qgs=3.5nC,
Ron*Qg(優(yōu)值，F(xiàn)OM)(Ω.nC) : N溝道：FOM=0.57Ω.nC,P溝道：FOM=4.2Ω.nC
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