Mass chip針對高性能雙級LED驅(qū)動電源要求，開發(fā)出全新前級單級恒壓+後級恒流模塊帶PWM調(diào)光雙級架構(gòu)，實(shí)現(xiàn)PFC>0.95，THD<8，支持全電壓輸入90~305V，輸出電壓寬範(fàn)圍，頻閃<0.4%，輸出過沖電流<3%，整機(jī)效率>92%(AC輸入230V）；
| 輸入（V) | 輸入功率 | 輸出（V） | 輸出電流(A) | PFC | THD | 效率 |
| 305 | 76.2 | 77.8 | 0.899 | 0.949 | 9.4 | 91.79 |
| 277 | 76.15 | 77.8 | 0.899 | 0.963 | 7.8 | 91.85 |
| 265 | 76.03 | 77.8 | 0.899 | 0.969 | 6.9 | 91.99 |
| 240 | 76.01 | 77.8 | 0.899 | 0.976 | 6.2 | 92.02 |
| 220 | 76.01 | 77.8 | 0.899 | 0.982 | 5.5 | 92.02 |
| 200 | 76.08 | 77.9 | 0.899 | 0.986 | 5.1 | 92.05 |
| 176 | 76.24 | 77.8 | 0.899 | 0.992 | 5.4 | 91.74 |
| 135 | 77.31 | 77.9 | 0.899 | 0.996 | 5.4 | 90.59 |
| 120 | 78.04 | 77.9 | 0.899 | 0.997 | 5.4 | 89.74 |
| 100 | 79.33 | 77.9 | 0.900 | 0.998 | 5.6 | 88.38 |
| 90 | 80.35 | 78 | 0.900 | 0.998 | 5.5 | 87.37 |
| 輸入（V) | 輸入功率 | 輸出（V） | 輸出電流(A) | PFC | THD | 效率 | 調(diào)光50% |
| 305 | 39.74 | 77.8 | 0.452 | 0.87 | 15.2 | 88.49% | |
| 277 | 40.65 | 77.8 | 0.459 | 0.91 | 12.2 | 87.85% | |
| 265 | 40.55 | 77.8 | 0.459 | 0922 | 11.1 | 88.06% | |
| 240 | 40.32 | 77.8 | 0.458 | 0.945 | 9.5 | 88.37% | |
| 220 | 40.16 | 77.8 | 0.458 | 0.959 | 8.5 | 88.73% | |
| 200 | 39.28 | 77.9 | 0.449 | 0.967 | 7.6 | 89.05% | |
| 176 | 39.2 | 77.8 | 0.448 | 0.977 | 7.0 | 88.89% | |
| 135 | 39.23 | 77.9 | 0.448 | 0.992 | 5.4 | 88.96% | |
| 120 | 39.24 | 77.9 | 0.448 | 0.997 | 5.4 | 88.94% | |
| 100 | 39.41 | 77.9 | 0.448 | 0.995 | 5.0 | 88.55% | |
| 90 | 39.55 | 78 | 0.448 | 0.996 | 4.7 | 88.35% |
後級恒流模塊采用數(shù)字模擬結(jié)合控製芯片，內(nèi)部集成模擬精準(zhǔn)檢測電路及數(shù)字處理電路，可支持100KHZ PWM調(diào)光頻率，調(diào)光深度<0.1% 調(diào)光階梯<0.1%；
整體電路更精簡，整機(jī)效率更高，PFC跟THD電氣參數(shù)更優(yōu)，頻閃處理更徹底（頻閃<0.4%），保護(hù)功能更完善，後級恒流模塊無EMI/EMC幹?jǐn)_，調(diào)光深度及效果更好，整體成本更低；
MASS CHIP針對整個架構(gòu)布局多項(xiàng)發(fā)明及新型專利，掌握完整架構(gòu)專利布局，為客戶產(chǎn)品出口保駕護(hù)航；
Comment