APM MOS ,永源微，永源微MOS，臺(tái)灣永源微,AP3N10BI,100V/3A N-MOS,NMOS,N溝道增強(qiáng)型MOS,N溝道MOS，3N10,SOT23-3 MOS,SOT23-3,RDS(ON) < 320mΩ ,260mΩ MOS

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APM 一級代理 12-250V Trench溝槽N-MOS AP3N10BI

型號(hào)：
AP3N10BI
制造商：
APM
批號(hào)：
AP3N10BI,Trench溝槽N-MOS，100V/3A MOS
描述：
Trench溝槽工藝N-MOS
庫存：
0 PCS
PDF：
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詢價(jià)數(shù)量：
典型應(yīng)用方案 : 美容霧化,小信號(hào)開關(guān)MOS,蓄電池保護(hù), Load switch 負(fù)載開關(guān),UPS
產(chǎn)品關(guān)鍵字 : N-MOS,APM MPS,臺(tái)灣永源微，
溝槽類型 : 100V N溝道增強(qiáng)型MOSFET,
極性 : N-MOS,
工藝技術(shù) : 溝槽工藝Trench N-MOS,
最小包裝MOQ（Pcs） : 3000PCS,
擊穿電壓VDS(V) : VDS = 100V,
最大漏源電流ID（A） : ID =2.8 A,
最大驅(qū)動(dòng)電壓VGS (±V) : VGS=±20,
Ron*Qg(優(yōu)值，F(xiàn)OM)(Ω.nC) : 無靜電保護(hù)，
導(dǎo)通內(nèi)阻Rdson @10V(mΩ) : Rdson Max.@10V=310mΩ,
導(dǎo)通內(nèi)阻Rdson @4.5V(mΩ) : Rdson [email protected]=320mΩ,
開啟電壓Vgs(th) : Vgs(th).Min.=1.0V,Vgs(th).Typ=1.5V,Vgs(th).Max.=2.5V,
總柵極電荷Qg : Qg=13.6nC,
柵源電荷Qgs : Qgs=2.2nC,
柵漏電荷Qgd : Qgd=2.4nC,
輸入結(jié)電容Ciss : Ciss=711pF,
輸出結(jié)電容Coss : Coss=41pF,
反饋結(jié)電容Crss : Crss=23pF,
替代型號(hào) : 3N10，
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